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PD - 93804B
IRFB41N15D
IRFIB41N15D
IRFS41N15D
Applications
l High frequency DC-DC converters
IRFSL41N15D
HEXFET ? Power MOSFET
V DSS R DS(on) max
I D
Benefits
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
150V
0.045
41A
Switching Losses
l
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
TO-220AB TO-220 FullPak D 2 Pak TO-262
IRFB41N15D IRFIB41N15D IRFS41N15D IRFSL41N15D
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
41
I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V
29
A
I DM
Pulsed Drain Current
164
Power Dissipation, D Pak
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
2
Power Dissipation, TO-220
Power Dissipation, Fullpak
Linear Derating Factor, TO-220
Linear Derating Factor, Fullpak
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
3.1
200
48
1.3
0.32
± 30
2.7
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
1.1(10)
N?m (lbf?in)
Parameter
Typ.
Max.
Units
Junction-to-Ambient, D Pak
R θ JC
R θ JC
R θ cs
R θ JA
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Case, Fullpak
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, TO-220
2
Junction-to-Ambient, Fullpak
–––
–––
0.50
–––
–––
–––
0.75
3.14
–––
62
40
65
°C/W
Notes ?
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www.irf.com
1
07/16/03
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